IT商业新闻网-解读信息时代的商业变革
当前位置: 首页 > 电脑 > 正文

三星宣布开始批量生产第五代V-NAND闪存芯片

2018-07-11 08:18:16 来源:IT之家   

  日前,三星电子正式宣布,已经开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片,其关键特性是采用“Toggle DDR 4.0”NAND接口。

  与前一代产品达到1.4Gbps的峰值相比,后者使存储和RAM之间的传输速度提高了40%。但随着更好的性能,电压从1.8V降至1.2V。

  新的V-NAND还具有最快的数据写入速度,延迟仅为500微秒,这是在写上一代的速度提高了30%,而响应时间读信号已显着降低到50μS(微秒)。

  第五代V-NAND芯片的构建与之前的相似,它配备了90层的3D TLC CTF闪存存储单元。它们堆叠成金字塔状结构,中间有微小孔。这些孔用作通道,尺度仅有几百微米宽,包含超过850亿个CTF单元,每个单元存储多达3比特数据,单Die容量达256Gb(32GB)。

  三星将迅速扩大其第五代V-NAND生产以满足市场的广泛需求,将应用在如超级计算机、企业服务器和最新的移动应用等高级智能手机方面。

  

免责声明: IT商业新闻网遵守行业规则,本站所转载的稿件都标注作者和来源。 IT商业新闻网原创文章,请转载时务必注明文章作者和来源“IT商业新闻网”, 不尊重本站原创的行为将受到IT商业新闻网的追责,转载稿件或作者投稿可能会经编辑修改或者补充, 如有异议可投诉至:post@itxinwen.com
微信公众号:您想你获取IT商业新闻网最新原创内容, 请在微信公众号中搜索“IT商业网”或者搜索微信号:itxinwen,或用扫描左侧微信二维码。 即可添加关注。
标签:

品牌、内容合作请点这里: 寻求合作 ››

相关阅读RELEVANT