根据AnandTech的报道，今年早些时候，Cadence和美光进行了业界首次公开演示下一代DDR5内存。在本月早些时候的台积电活动中，两家公司提供了有关新内存技术开发的一些更新。看来，规格还没有在JEDEC最终确定，但美光仍然预计将在2019年末开始生产DDR5内存芯片。
▲图自ANANDTECH
正如5月份所述，DDR5 SDRAM的主要特性是芯片容量，而不仅仅是更高的性能和更低的功耗。DDR5预计将带来4266至6400 MT / s的I / O速度，电源电压降至1.1 V，允许的波动范围为3％（即±0.033V）。每个模块使用两个独立的32/40位通道（不使用/或使用ECC）。此外，DDR5将具有改进的命令总线效率（因为通道将具有其自己的7位地址（添加）/命令（Cmd）总线），更好的刷新方案以及增加的存储体组以获得额外的性能。
事实上，Cadence甚至表示，与DDR4相比，改进的DDR5功能将使实际带宽提高36％，即使在3200 MT / s（此声明必须进行测试）和4800 MT / s速度开始，与DDR4-3200相比，实际带宽将高出87％。与此同时，DDR5最重要的特性之一将是超过16 Gb的单片芯片密度。
