昨日，美光宣布，目前已经开始量产旗下第二代LPDDR4X内存芯片，性能速度能够达到4266Mbps，单片容量12Gb（1.5GB），最高可部署12GB。
据介绍，美光的全新内存芯片目前为业界最高容量，并且也是目前时钟速度最快的4x DRAM产品，将用于智能手机、平板等移动设备，相较于上一代产品还将带来功耗方面的改进，功耗降低达10%。
制造工艺方面，美光全新的内存芯片将会基于1Y-nm（10nm级，10-18nm）工艺技术生产。
随着5G技术的即将到来，美光量产全新的内存芯片将能够为计算和数据密集型移动应用如AI、AR、4K视频等应用提供更好的数据处理性能。
