SK海力士公司今天宣布，已经开发出了1Znm 16Gb DDR4 DRAM芯片，是业界单个芯片的最大密度，与上一代产品1Y纳米相比，该产品的生产率提高了约27%，由于不需要昂贵的极紫外(EUV)光刻，它在成本上具有竞争优势。
新的1Z nm DRAM还支持高达3200 Mbps的数据传输速率，SK海力士称与1Y nm 8gb DRAM相同密度的模块相比，其功耗降低了约40%。
SK海力士计划将1Znm技术流程扩展到多种应用领域，例如下一代移动DRAM LPDDR5和HBM3。
16Gb内存芯片的推出也意味着32GB单条内存将迎来大量出货，对于只有两条插槽的ITX主板来说，也可轻松组成64GB双通道内存了。
