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长江储存自主开发64层3D闪存已量产 采用Xtacking技术

2020-01-14 23:03:55 来源:IT之家   

  根据楚天都市报的报道,长江存储科技有限责任公司副董事长杨道虹表示,国家存储器基地项目经过3年的建设已经取得了阶段性成效,自主开发的64层三维闪存产品实现量产。

  据介绍,杨道虹表示,当前以及今后一段时间他们目前的任务是如期达成月产能10万片,在二期项目中将会达到30万片/月产能。

  根据之前的介绍,长江存储科技有限责任公司早在2018年就公开发布其突破性技术——Xtacking,该技术将大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps。

  根据官方的说明,采用Xtacking技术,可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺,以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后,创新的Xtacking 技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses,垂直互联通道)将二者键合接通电路,而且只增加了有限的成本。

  现在,长江存储已成功将Xtacking 技术应用于其第二代3D NAND产品的开发,大规模量产之后,预计会有更多的储存产品用上国产芯片。

  杨道虹还透露称,不仅64层三维闪存产品实现量产,更高层的三维闪存产品研发也取得阶段性成果,进一步缩短了与国际龙头企业的差距。

  据悉,长江存储科技有限责任公司于2016年7月26日在武汉东湖新技术开发区登记成立,公司经营范围包括半导体集成电路科技领域内的技术开发;集成电路及相关产品的设计等。

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