据中国台湾地区媒体报道，高通新款旗舰手机芯片已经完成设计定案（tape-out），确定将采用台积电7nm工艺制程。供应链消息称，该芯片已经在第四季度量产。
据此前消息，多方爆料佐证，高通下一代旗舰芯片，骁龙845的继任者将被命名为骁龙8150。
其最大的特色是整合NPU神经网络运算单元，且支持5G网络。芯片运算效能有望较前一代提升不少，功耗亦可明显降低。
预计，包括三星、OV、小米等厂商均将采用，最快明年第一季度终端手机有望上市。
此前，爆料达人Roland Quandt在社交网络给出了骁龙8150的新料。他表示，骁龙8150将采用采用麒麟980类似的三簇CPU核心集群设计，即两个超大核心、两个大核心以及两个小核心的架构设计。
此外，高通推出的快充规格Quick Charge目前最新版为QC 4+，但随着新款手机芯片推出，将可望推出新规格。
供应链指出，高通预计将于明年推出QC 5最新快充规格，将可望将最高输出功率从原先的27W提升至32W，并在充电设计上从2条电路该改为3条电路输出，让充电效率提升，同时不让温度明显增加。
