韩媒报导，SK海力士最新一代内存产品HBM4E，可望于2026年量产，比原先预估提早约1年。
韩媒《The Elec》报导，受惠于生成式AI浪潮，AI服务器需求大爆发，HBM热卖，率先量产HBM3E(第五代HBM)的SK海力士产能被预订一空，目前正加速研发HBM4E，希望甩开三星、美光。
根据SK海力士先前计划，预定2027年量产HBM4E(第七代HBM)，SK海力士先进HBM技术团队主管Kwi Wook Kim 近日透露，随着技术进步，HBM产品更新换代的周期，已从两年缩短至一年，目前预估HBM4E量产时点落在2026年。
SK海力士稳居HBM市场霸主，是英伟达HBM主力供应商。 HBM4E是SK海力士首款采用第六代10纳米级1c DRAM堆叠的产品。
