SK 海力士（SK Hynix）近日宣布第八代 3D NAND 的详细信息，堆叠层数超过 300 层，预估将于 2024 年年底或者 2025 年年初上市发售。
IT之家从 SK 海力士官方公告中获悉，第 8 代 3D NAND 堆叠成熟超过 300 层，容量为 1Tb（128GB），具有三级单元和超过 20Gb / mm^2 的位密度（bit density）。
该芯片的页容量（page size）为 16KB，拥有 4 个 planes，接口传输速度为 2400MT / s，最高吞吐量为 194MB/s（比第 7 代 238 层 3D NAND 快 18%）。
新 NAND 的位密度增加近一倍，意味着将显着提高新制造节点的每晶圆生产率，也将降低 SK 海力士的成本，只是尚不清楚具体程度。
原标题：SK 海力士公告第8代3D NAND：堆叠层数超过 300 层
