突破性研发：美光于2023年末在IEEE IEDM会议上展示了其32Gb 3D NVDRAM的研发成果，该内存基于铁电性原理，具备类似NAND闪存的非易失性，同时具备高耐久和低延迟的特点。
技术优势
高容量密度：采用双层3D堆叠技术，32Gb的容量密度刷新了铁电性存储器的记录。
LPDDR5规范测试：基于LPDDR5规范对NVDRAM样品进行测试，适用于严苛的AI负载。
技术进展与前景
重要技术进展：美光的32Gb NVDRAM展现了三项重要技术进展，包括在产品中实现更小的铁电性电容器、引入多晶硅技术以及推广CuA技术到内存领域。
降低功耗：采用锆掺杂的氧化铪高介电常数材料，大幅降低内存刷新率，节省功耗，提升存储密度。
商业前景分析
量产可能性：两位行业分析师认为，尽管技术上有突破，但NVDRAM不太可能成为量产产品。Jim Handy指出，虽然技术上有重大进展，但听闻该产品不会量产的暗示。Mark Webb则认为，详细的论文出现在会议上，可能是产品即将推出或取消的信号。
美光的32Gb 3D NVDRAM展现了技术上的重要突破，但其商业化前景尚存疑问。技术发展令人振奋，但是否能转化为商业产品，还需进一步观察。
