近日，集邦咨询发布的报告指出，2024年，HBM（High Bandwidth Memory）内存市场的主流规格将是HBM3。然而，英伟达即将推出的B100或H200加速卡将采用HBM3e规格，为市场带来新的变革。
HBM生产周期限制
据消息透露，当前AI加速卡除了CoWoS封装瓶颈之外，另一个重要限制就是HBM。主要原因在于HBM的生产周期比DDR5更长，从投片到产出、封装完成需要至少2个季度的时间。
英伟达的挑战与突破
英伟达目前主流的H100加速卡采用HBM3内存，但主要供应商SK海力士无法满足整体AI市场的需求。然而，2023年年末，三星以1Znm产品加入英伟达的供应链，虽然比重较小，但对于HBM领域来说是一次重大突破。
三星的策略调整
作为AMD长期以来最重要的策略供应伙伴，三星于2024年第一季开始陆续通过AMD MI300系列验证其HBM3产品，包括8h与12h产品。因此，自2024年第一季以后，三星的HBM3产品将逐渐放量。
市场关注焦点转向HBM3e
自2024年起，市场的关注焦点将由HBM3转向HBM3e，预计下半年将逐渐成为HBM市场的主流。根据TrendForce集邦咨询的调查，SK海力士率先通过验证，美光紧随其后，并于第一季底开始递交HBM3e量产产品，以满足计划在第二季末铺货的NVIDIA H200。
三星的时程规划
三星递交样品的时程略晚于其他两家供应商，但预计其HBM3e将于第一季末前通过验证，并于第二季开始正式出货，为市场带来更多的选择和竞争力。
英伟达即将推出的HBM3e加速卡有望成为AI市场的新风向标。随着HBM3e的逐渐普及和市场化，将为AI行业带来更多的创新和发展机遇，也将加速AI技术在各个领域的应用和落地。
