在最近的存储领域技术会议Memory Con 2024上，三星电子展示了最新的CMM-B CXL内存盒模组，并宣布将包括32Gb颗粒128GB DDR5内存模组在内的一系列新品将于上半年开始量产。让我们一起来了解这些引人注目的新技术。
突破性的CMM-B CXL内存盒模组
容量巨大
CMM-B（CXL Memory Module-Box）可容纳8个E3.S规格的CMM-D CXL内存模组，实现了惊人的2TB内存容量。这一突破性设计在数据分析、内存数据库、人工智能等领域将发挥巨大作用。
超高性能
提供60GB/s的数据带宽，而延迟仅为596纳秒，为用户提供了卓越的性能表现，助力处理大规模数据任务。
基于CMM-B的机架级硬件方案
内存共享
三星与Supermicro合作推出了基于CMM-B的机架级硬件方案，使得在3台设备间共享内存池成为可能，为用户带来更大内存容量和更高带宽。
HBM3E内存技术亮相
12层堆叠
三星展示了其12层堆叠的HBM3E内存技术，计划于今年上半年实现量产。这一技术的引入将为高性能计算和数据中心应用带来更强大的内存支持。
128GB DDR5内存模组即将登场
基于32Gb DRAM颗粒
基于32Gb DRAM颗粒的128GB DDR5内存模组也将于上半年开始量产。未来，三星计划在HBM4内存堆栈的底部应用缓冲芯片作为控制设备，进一步提升内存性能。
三星电子的最新技术展示再次彰显了其在存储领域的领先地位，为未来存储技术的发展指明了方向。期待这些创新技术的商用应用，助力各行各业的数字化转型和创新发展！
