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三星获美补助、2纳米承诺比台积美厂提前2年投产

2024-04-16 15:02:48  来源:IT商业网    

  拜登政府宣布,将对三星电子提供最高64亿美元的直接补助,而三星则承诺要在美国生产2纳米芯片,比对手台积电的美国厂提早两年。

  英国金融时报、路透社等外电报导,美国商务部长雷蒙多周一宣布,三星准备在德州泰勒的新厂房生产2纳米芯片。 这会是三星400亿美元投资计划的其中一部份,内容涵盖芯片生产、先进芯片封装及研发作业。

  三星获得美国政府依据《芯片与科学法案》(Chips and Science Act,又称芯片法、CHIPS Act)提拨64亿美元直接补助。 一周前,美国才刚宣布对台积电补助最多66亿美元,赞助该公司在亚利桑那州的扩厂计划。 换言之,三星是芯片法至今补助规模第三大的对象,仅次于台积电、英特尔。 英特尔获得最多85亿美元直接补助。

  美国一名资深官员透露,三星在泰勒的第一座新厂房将在2026年开始投产2纳米芯片。 相较之下,台积电亚利桑那州厂要等到2028年才能生产2纳米芯片。

  拜登政府担心东亚天灾或地缘政治冲突恐会切断供应,希望美国先进芯片产量对全球的占比,能在2030年底前从目前的0%拉高至20%。

  三星早在2021年就宣布要在泰勒投资170亿美元打造晶圆厂(为400亿美元计划的一部分),这座厂房预计会生产2纳米及4纳米芯片。 三星最新规划的资本支出,将在泰勒增建第二座晶圆厂(也生产2纳米、4纳米芯片),并建设一座先进晶片封装厂,为处理器及内存提供2.5D封装服务。

  对英伟达「H100」等AI芯片来说,先进封装技术非常关键。 台积电已开始为英伟达最强大的芯片提供2.5D先进封装服务,但该公司目前并无在美国设立先进封装厂的计划。 雷蒙多15日表示,目前就连在美国本土制造的芯片都得运回台湾封装,当中包括应用于国防系统的芯片。

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