据 韩媒 DealSite 报道，SK 海力士 和 三星电子 在今年针对 HBM 内存 进行了大幅扩产。然而，HBM 内存由于其良率较低等问题，难以满足日益增长的 AI 市场 相关需求。
HBM内存的封装技术
作为 AI 半导体市场 中备受追捧的产品，HBM 内存采用了晶圆级封装（WLP）技术。这种封装方式通过 TSV 硅通孔 连接多层 DRAM 内存晶圆，然而一旦其中一层出现问题，整个 HBM 堆栈 就会报废。
良率问题的困扰
以 8 层堆叠产品 为例，如果每一次堆叠的良率均为 90%，那么整体 HBM 堆栈 的良率仅有 43%，超过一半的 DRAM 将被丢弃。随着堆叠层数的增加，良率进一步下降，造成了生产成本的增加和资源的浪费。
扩产现状与挑战
尽管 SK 海力士 和 三星电子 两家公司在 HBM 内存领域占据主导地位，今年也都进行了大规模的产能扩张。然而，产能增幅仍显不足以满足 AI 市场 对 HBM 内存的需求。据 韩券商 Kiwoom Securities 估计，三星电子的月产能预计将从去年第二季度的 2.5 万片晶圆 增加到今年第四季度的 15~17 万片；而同期，SK 海力士的月产能预计将从 3.5 万片 跃升至 12~14 万片。
挑战与机遇并存
尽管如此，相对于 AI 市场 对 HBM 内存的巨大需求，目前的产能扩张仍显不足。据 SK 海力士 高管透露，今年的 HBM 产能配额已经售罄，而 三星电子 也已经完成了今年产能与大客户的谈判。面对持续增长的 AI 市场，HBM 内存的供需之间仍存在一定的矛盾和挑战，但也为产业链上的各方带来了新的商机和发展空间。
