据三星半导体微信公众号发布的中国闪存市场峰会2024简报，三星正在研发CMM-H混合存储CXL模组。该模组同时包含DRAM内存和NAND闪存，标志着未来存储技术的一次革新。
CXL技术的应用
作为一种新型高速互联技术，CXL能够提供更高的数据吞吐量和更低的传输延迟，有效连接CPU和外部设备，为存储和计算提供更高效的通信。
CMM-H模组的特性
根据三星的图示，CMM-H模组可以通过CXL界面直接在闪存部分和CPU之间进行块I/O传输，同时也可以通过DRAM缓存和CXL界面实现64字节的内存I/O传输。这一设计可以实现细粒度访问，降低总体拥有成本(TCO)，同时也为持久内存选项提供了可能。
产品路线图
根据三星展示的路线图，他们计划在今年上半年推出一款原型CMM-H产品。该原型将配备基于FPGA的CXL 1.1控制器，采用E3.L 2T规格，最大容量达到4TB，最大带宽可达8GB/s。未来，商用量产的CMM-H模组将基于ASIC成熟控制器，支持CXL 3.0规范，容量最大可选达到16TB，最大带宽提升至64GB/s，预计于2026年准备就绪。
CXL-D存储模组
除了CMM-H模组外，三星还计划在明年一季度推出第二代CXL-D存储模组产品。这些产品将采用1b nm制程DRAM颗粒，容量从128GB到512GB和256GB不等，速度可达6400MT/s，为用户提供更多选择。
三星的CMM-H混合存储CXL模组标志着存储技术的革新，将为未来的存储和计算提供更高效、更可靠的解决方案。期待其在未来的商用量产中发挥重要作用！
