全球半导体产业正逐步走出低谷，随着市况回温，美台韩芯片大厂开始为下一轮上行周期做准备，同时产业链也正在重建，在各国政府大手笔补贴下，芯片大厂纷纷启动新一轮建厂行动，加大布局抢占市场。
在需求缓慢恢复以及价格触及反弹的推动下，全球三大储存芯片厂最新一季的财报都传来喜讯，三星公布的财测数字显示今年第一季营收年增11%至约71兆韩元，营业利润更大幅年增931%至6.6兆韩元左右，创2022年第三季度以来的最高纪录。
美光也结束连5季亏损，2月为止的第二季营收年增58%至58.2亿美元，季增率亦达23%，净利转亏为盈至7.93亿美元，因DRAM及NAND Flash需求及物价同步上升，SK海力士业绩更早在去年第四季回升，营收年增47.4%至11.3兆韩元，超过市场最高预期，营业利润3460亿韩元，结束自 2022年第四季度以来持续的营业亏损。
业绩回升之际，美韩厂商也逐渐恢复产能供给，并在AI浪潮推动下积极推动HBM扩产，三星据悉今年首季在南韩平泽跟中国西安NAND Flash快闪记忆体生产线的晶圆投片量，相较上一季将提升约30%但对进一步增产仍谨慎以对，希望避免影响NAND Flash的价格涨势，铠侠跟西部数据上月则率先将产能利用率恢复至近九成，可望带动今年NAND Flash 产业供给位同比达 10.9%。
在DRAM方面，根据市场研究机构Omdia报告，三星将今年次季平均每月投片量调升至60万片，月增率13%，下半年料将增至66万片，DRAM产量恢复到减产前水平;SK海力士投片量也逐渐恢复，第二季每月平均投片量从第一季39万片增至41万片，下半年预计该公司的DRAM晶圆投入量将增加至45万片，
至于HBM方面，南韩厂商扩产则超过预期，三星高层在Memcon 2024全球半导体大会上表示，该公司今年HBM芯片产量将比去年增加2.9倍，高于年初预测的2.4倍，在AI浪潮带动下，高效能存储器需求猛涨。
作为HBM技术领先者的SK海力士也在加码高效能存储器的投资，月初宣布打算砸下38.7亿美元在美国建造内存先进封装生产基地，预计在2028年下半年开始量产新一代HBM等适用于AI的存储器产品。
多家产业协会和市场分析机构认为，今年全球半导体市场将迎来周期性回升，美国半导体产业协会预测今年全球半导体产业销售额将成长13.1%，IDC则预计今年市场回归成长趋势，年增率将在20%以上，市场规模达6302亿美元，其中储存芯片市场成长将最强劲。
此外，芯片大厂也在美国疯狂建厂，除产业回暖因素外，这波建厂潮另一个有力推手是政府补贴，半导体产业逆全球化正因地缘政治影响而加剧，在地化生产成为各国政府半导体政策的重要方向，目前美日印欧等地都在释放优惠政策吸引芯片巨头投资，其中在美国《芯片法案》527亿美元补贴推动下，芯片大厂纷纷扩大在当地布局。
今年2月中，美国商务部宣布将提供约15亿美元来支持Globalfoundries新建最先进设施、大幅产能扩张以及对工厂进行现代化改造，以增强美国在当前一代和成熟节点半导体生产方面的竞争力。 Globalfoundries将分别在纽约州新建最先进的12寸晶圆厂，该厂预计将生产美国目前尚不具备的高价值技术，并扩建当地现有制造工厂，以及振兴佛蒙特州现有制造工厂，使其成为美国第一家能大量生产下一代GaN硅芯片的工厂，该芯片广泛应用于电动车、电网和智能手机。
英特尔也在上月获得85亿美元资金补助，将用在美国四个州的多个半导体工厂建设，未来五年英特尔也将在这四州的投资逾1千亿美元，而美国商务部4月8日也宣布提供66亿美元补贴支持台积电在亚利桑那州兴建三座晶圆厂，其中一座为新厂，台积电在该州投资金额将增至650亿美元。 三星在周一(15日)也获美国64亿美元资助扩大在德州生产芯片，三星也将在此基础上追加超过400亿美元的投资来扩大现有的德州工厂，扩大FD-SOI(全耗尽型绝缘体上硅)制程产能。
美国商务部表示，受惠于三星与台积电等在美投资案，到2030年，美国可望生产全球约20%的尖端芯片。
