美光CEO桑杰・梅赫罗特拉在电话会议上透露，相比传统内存，HBM内存在晶圆消耗上表现明显更高。目前，最先进的HBM3E内存在同一节点生产同等容量时，晶圆消耗是标准DDR5的三倍，而随着性能提升和封装复杂度加剧，HBM4的晶圆消耗比值还将进一步提升。
HBM内存低良率成为高消耗的原因
HBM内存采用多层DRAM内存TSV连接堆叠而成，一层出现问题就意味着整个堆栈报废。目前，HBM的良率仅约为2/3，明显低于传统内存产品，这也是HBM消耗晶圆量的主要原因之一。
供不应求的HBM市场
随着AI领域的蓬勃发展，HBM一直处于供不应求的状态。SK海力士和三星等厂商的HBM产能早已售罄，美光的HBM产能甚至连明年都已经基本被预定完毕，显示出HBM的巨大市场需求。
非HBM内存供应紧张
HBM的高需求和晶圆消耗挤压了其他DRAM的投片量，导致非HBM内存面临供应紧张的局面。
8Hi HBM3E内存大规模出货
美光8Hi HBM3E内存已开始大规模出货，预计在本财年贡献数亿美元的收入。而12层堆叠36GB HBM3E未来产品已完成采样，计划在2025年实现大规模生产。
美光CEO的披露揭开了HBM内存背后晶圆消耗的谜团，也展现了HBM技术在未来内存市场中的巨大潜力与市场需求。
