三星电子最近在存储器部门成立高带宽记忆体团队，希望能在开发第六代AI内存HBM4及AI加速器Mach-1之际提升良率。
《韩国经济日报》29日引述业界消息报导，三星的HBM小组主要负责DRAM、NAND型闪存的研发与销售。 三星执行副总裁兼DRAM产品与科技长HwangSang-joon将负责带领新团队。 这是三星1月启动HBM任务团队以来，第二个聚焦HBM的小组。
三星正在加大力道，盼能超越在先进HBM领域拔得头筹的SK海力士。 三星2019年因错误判定市场不会显著成长，解散了当时的HBM小组。
为了争夺AI芯片市场的领先地位，三星将追求「双轨」策略，同时开发两种尖端内存芯片：HBM和Mach-1.
三星计划今年下半量产HBM3E、2025年投产下一代HBM4. HBM3E是表现最佳的AI用DRAM，也是第五代DRAM内存，之前几个世代为HBM、HBM2、HBM2E及HMB3.
三星也准备研发次世代用于AI推论的加速「Mach-2」。 Kyung 29日指出，三星必须加快研发Mach-2.因为客户对此展现浓厚兴趣。
三星：今年的HBM产能将扩增三倍
Hwang甫于3月26日在加州圣荷西举行的《Memcon 2024》会议表示，预测今年三星的HBM产能有望年增2.9倍。 这高于三星稍早于2024年拉斯维加斯消费电子展预测的2.4倍。
三星并在会议上发表HMB技术路线图，预测2026年HBM出货量将比2023年高13.8倍，2028年HBM年产出将进一步比2023年多23.1倍。
三星最新HBM3E 12H芯片已开始送样，预计今年上半就可量产。
三星半导体事业部门负责人桂显最近才刚表示，正在开发的Mach-1已跟Naver Corp.敲定协议、预计今年底开始供应，合约金额上看1兆韩元(7.52亿美元)。 Naver希望藉由跟三星的供应协议，大幅降低对英伟达 的依赖。
